Samuel Baltazar Rojas

Email: 
samuel.baltazar@usach.cl
Sitio web: 
https://cedenna.cl
Grados académicos: 
Licenciado en Física - PUC
Master in Applied Sciences - IPICyT, México
Doctor in Applied Sciences Nanoscience and nanotechnology - IPICyT, México
Asignaturas del Programa: 
Ingeniería Física: Física del sólido, Cálculo Numérico, Laboratorio Avanzado
Pedagogía en Física y Matemática: Física de Frontera
Magíster en Ciencia con mención en Física: Introducción a la Física del Sólido
Doctorado en Ciencia con mención en Física: Introducción a la Física del Sólido, Introducción a Teoría del funcional de la densidad
Línea de investigación: 
Ciencia de los Materiales, Nanociencia y Nanotecnología
Actividad: 

Licenciado en Física de la Pontificia Universidad Católica en 2002, obtuvo el Magíster en Ciencias Aplicadas opción Materiales Avanzados en 2004 y el Doctorado en Ciencias Aplicadas, opción Nanociencia y Nanotecnología en 2007 en el instituto IPICYT en San Luis de Potosí, México. Posteriormente realizó un postdoctorado en Instituto MINATEC en Grenoble, Francia, desde 2008 a 2010, para luego incorporarse a la Universidad de Santiago de Chile en 2010. Trabaja en el área de Materia condensada y es investigador del Centro para el desarrollo de la Nanociencia y la Nanotecnología CEDENNA. Actualmente es Director del Magíster en Ciencia con mención en Física desde 2019 al presente. Sus principales líneas de investigación son Materia condensada y Nanotecnología con aplicaciones en medioambiente, transporte electrónico, reforzamiento mecánico de nanomateriales, entre otros. Tiene 26 publicaciones indexadas en Web of Science con más de 640 citas.

 

​Publicaciones:

Proyectos relacionados: 

2016

2010

publicaciones relacionadas: 

2021

2020

2019

2018

2017

  • Adsorption of As(III) and As(V) compounds on Fe3O4 (001) surfaces: A first principle study
    S. E. Baltazar, A. H. Romero & M. Salgado
    Computational Materials Science (Elsevier Science BV), Vol. 127, Pages: 110-120, ISSN 0927-0256

2016

  • Nanoscale zero valent supported by zeolite and montmorillonite: Template effect of the removal of lead ion from an aqueous solution
    N. Arancibia-Miranda, S. Baltazar, A. García, D. Munoz-Lira, P. Sepúlveda, M.A. Rubio & D. Altbir
    Journal of Hazardous Materials (Elsevier Science BV). Vol. 301, Article Number: 371. ISSN0304-3894
  • Nanoscale zero valent supported by zeolite and montmorillonite: Template effect of the removal of lead ion from an aqueous solution
    N. Arancibia-Miranda, S. Baltazar, A. García, D. Munoz-Lira, P. Sepúlveda, M.A. Rubio & D. Altbir.
    Journal of Hazardous Materials (Elsevier Science BV). Vol. 301, Article Number: 371, ISSN 0304-3894

2014

  • Reversal modes in small rings: Signature on the susceptibility
    S. Castillo-Sepúlveda, N. M. Vargas, R. Escobar, S. Allende, S. Baltazar & D. Altbir
    Journal of Applied Physics (Amer Inst Physics). Vol. 115, Article Number: 223903, ISSN 0021-8979
  • Surface rearrangement of nanoscale Zero Valent Iron: The role of pH and its implications in the kinetics of removal of arsenate
    S. Baltazar, A. García, A. H. Romero, M. A. Rubio, N. Arancibia-Miranda & D. Altbir
    Environmental Technology (Taylor & Francis) Vol. 35, Article Number: 2365, ISSN 0959-3330
  • Lead removal by nano-scale zero valent iron: surface analysis and pH effect
    N. Arancibia-Miranda, S. Baltazar, A. García, A. H. Romero, M. A. Rubio & D. Altbir
    Materials Research Bulletin (Pergamon-Elsevier Science) Vol. 59, p.p. 341. ISSN 0025-5408

2012

  • Transport Inefficiency in Branched-Out Mesoscopic Networks: An Analog of the Braess Paradox
    M. G. Pala, S. Baltazar, P. Liu, H. Sellier, B. Hackens, F. Martis, V. Bayot, X. Wallart, L. Desplanque & S. Huant
    Physical Review Letters (Amer Physical Soc). Vol. 108, Article Number: 076802, ISSN 0031-9007
  • Planning the electron traffic in semiconductor networks: A mesoscopic analog of the Braess paradox encountered in road networks
    S. Huant, S. Baltazar, P. Liu, H. Sellier, B. Hackens, F. Martins, V. Bayot, X. Wallart, L. Desplanque & M. G. Pala
    AIP Conference Proceedings (American Institute of Physics), ISSN 0094-243X

2011

  • On the imaging of electron transport in semiconductor quantum structures by scanning-gate microscopy: successes and limitations
    H. Sellier, B. Hackens, M. G. Pala, F. Martins, S. Balatzar, X. Wallart, L. Desplanque, V. Bayot & S. Huant.
    Semiconductor Science and Technology (IOP Publishing LTD). Vol. 26, Article Number: 064008, ISSN 0268-1242
  • Scanning-gate microscopy of semiconductor nanostructures: An overview
    F. Martins, B. Hackens, H. Sellier, P. Liu, M. G. Pala, S. Baltazar, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot & S. Huant
    Acta Physica Polonica A (olish Academy of Sciences Publishing House). Vol. 119, Pages: 569-575, ISSN 0587-4246

2009

  • Scanning gate microscopy of quantum rings: Effects of an external magnetic field and of charged defects
    M. G. Pala, S. Baltazar, F. Martins, B. Hackens, H. Sellier, T. Ouisse, V. Bayot & S. Huant
    Nanotechnology (IOP Publishing Ltd). Vol. 20, Article Number: 264021, ISSN 0957-4484

2008

  • Influence of S and P doping in a graphene sheet
    A. G. Garcia, S. E. Baltazar, A. H. R. Castro, J. F. P. Robles & A. Rubio
    Journal of Computational and Theoretical Nanoscience (Amer Scientific Publishers). Vol. 5, Pages: 2221-2229, ISSN 1546-1955
  • Quantum electronic transport through supported Si29 H24 clusters on an ideal Si [111] surface
    S.E. Baltazar, M. De Menech, U. Saalmann, A. H. Romero, M. E. Garcia
    Journal of Applied Physics (American Institute of Physics). Vol. 103, Article Number: 023714, ISSN 0021-8979