Silicon cantilevers locally heated from 300 K up to the melting point: Temperature profile measurement from their resonances frequency shift

Enviado por roberto.bernal en Jue, 05/20/2021 - 23:01
Año: 
2 021
Nombre de la revista: 
Journal of Applied Physics
Volumen: 
Vol. 129,
Académicos Relacionados: 
Francisco Melo Hurtado
Autor (es): 
Basile Pottier1, Felipe Aguilar Sandoval2, Mickaël Geitner1, Francisco Esteban Melo3, and Ludovic Bellon1,a)
Enlace: 
Silicon cantilevers locally heated from 300 K up to the melting point: Temperature profile measurement from their resonances fre
Area de Investigacion: 
Ciencias de Materiales